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Die Einführung von Ultrahochspannungstransistoren

05.06.2020

Die Einführung von Ultrahochspannungstransistoren

 Das Forschungsteam der University of Buffalo hat eine neue Form eines Leistungs-MOSFET-Transistors entwickelt. Dieser Transistor kann unglaublich hohe Spannungen mit einer minimalen Dicke verarbeiten, was den Wirkungsgrad der leistungselektronischen Komponenten von Elektrofahrzeugen verbessern kann. MOSFET ist eine sehr häufige Komponente in verschiedenen Unterhaltungselektronikprodukten, insbesondere im Bereich der Automobilelektronik.

  Der Leistungs-MOSFET ist ein Schalter, der speziell für Hochleistungslasten entwickelt wurde. Jedes Jahr werden etwa 50 Milliarden solcher Schalter ausgeliefert. Tatsächlich handelt es sich um dreibeinige, flache elektronische Komponenten, die als spannungsgesteuerte Schalter verwendet werden können. Sie können elektronische Hochleistungsgeräte sehr schnell ein- und ausschalten und sind ein wesentlicher Bestandteil von Elektrofahrzeugen.

  Das Team der University of Buffalo gab an, erforscht zu haben, wie dünne Papiertransistoren für extrem hohe Spannungen eingesetzt werden können. Durch die Entwicklung eines MOSFET, der extrem hohe Spannungen mit extrem geringer Dicke verarbeiten kann, hofft das Buffalo-Team, dass Work zu kleineren, effizienteren leistungselektronischen Geräten wie Elektrofahrzeugen, Lokomotiven, Flugzeugen, Mikronetztechnologie und potenziell Festkörpertransformatoren beitragen kann.